| Номер детали производителя : | HS1DL MTG | Статус RoHS : | |
|---|---|---|---|
| Изготовитель / Производитель : | TSC (Taiwan Semiconductor) | Состояние на складе : | - |
| Описание : | DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA | Доставить из : | Гонконг |
| Спецификация : | HS1DL MTG.pdf | Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| Часть № | HS1DL MTG |
|---|---|
| производитель | TSC (Taiwan Semiconductor) |
| Описание | DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
| Кол-во в наличии | В наличии |
| Спецификация | HS1DL MTG.pdf |
| Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 950 mV @ 1 A |
| Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 200 V |
| Технологии | Standard |
| Поставщик Упаковка устройства | Sub SMA |
| скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Серии | - |
| Обратное время восстановления (ТИР) | 50 ns |
| Упаковка / | DO-219AB |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 150°C |
| Тип установки | Surface Mount |
| Ток - Обратный утечки @ Vr | 5 µA @ 200 V |
| Текущий - средний выпрямленный (Io) | 1A |
| Емкостной @ В.Р., F | 20pF @ 4V, 1MHz |
| Базовый номер продукта | HS1D |







DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA
DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA
DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA
50NS, 1A, 200V, HIGH EFFICIENT R
DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA
DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA
DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA
50NS, 1A, 200V, HIGH EFFICIENT R
DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA
DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA